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罗姆:追求高品质

放大字体  缩小字体 发布日期:2012-04-06  来源:中国智慧城市网  浏览次数:1682
核心提示: 历经半个多世纪的发展,罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域,其中包括IC、分立半导体、光学半导体、被
       
      
历经半个多世纪的发展,罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域,其中包括IC、分立半导体、光学半导体、被动元件以及模块产品。
  
笔记本电脑等一般家电产品中,一直以来为在同一封装基板上实现电路、功能的切换和电路的短接等而使用跳线电阻(零欧电阻),但传统的跳线电阻即使是低阻值产品也有数十mΩ的电阻值。近年来,伴随着电子设备的多功能化,电路中的电流值也在不断增大,这种跳线电阻中的功率损耗和电压漏失更加不容忽视,因此,对于电阻值更接近零的跳线电阻器的需求不断高涨。为此罗姆株式会社开发出导通电阻值降低到Max0.5mΩ、同时使额定电流大幅提高的超低阻值跳线电阻器PMR跳线系列。PMR跳线系列,采用了电阻体中导电性能卓越的特殊合金,大大降低了电阻值(是传统产品的1/100)。另外,通过独创的芯片结构,使额定电流大幅提高。不仅如此,它还可满足从便携设备到车载设备的广泛需求,目前,该产品线已有5种产品。
  
随着节能呼声越来越高,作为可再生能源的代表,太阳能发电市场规模不断扩大,因此对实现更低损耗的功率MOSFET的市场需求不断高涨。罗姆此前也一直利用多层外延生长方式,为客户提供多层纵向pn结的超结结构功率MOSFET。但是,由于这种方式的制造工序复杂,难以微细化和提高性能。因此,罗姆面向太阳能发电的功率调节器市场,开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET R5050DNZ0C9。
  
此次罗姆展示了采用纵向p层一次成型的Si深蚀刻技术,通过微细化及杂质浓度的优化,与传统产品相比,将导通电阻成功降低了约47%。此产品不仅非常适合低导通电阻容易体现出来的转换器部分,而且与罗姆制造的快速恢复二极管或SiC肖特基势垒二极管等相组合,还可应用于逆变器。由于可以大幅降低电源转换时的损耗,因此将有助于提高太阳能发电的效率。
 
 
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